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　　晶振負(fù)載電容是分別接在晶振的兩個(gè)腳上和對(duì)地的電容，一般在幾十PF。它會(huì)影響到晶振的諧振頻率和輸出幅度，一般客戶(hù)向我們?cè)儐?wèn)晶振時(shí)我們都會(huì)問(wèn)他們所需晶振的負(fù)載電容是多少。晶振上接的一個(gè)電阻是反饋?zhàn)饔?，使振蕩器容易起振?/span>
       晶振負(fù)載電容的取值直接關(guān)系到調(diào)頻的準(zhǔn)確度。如果實(shí)際電路中負(fù)載電容值不夠準(zhǔn)確，那么買(mǎi)來(lái)的晶振準(zhǔn)確度就會(huì)有偏差，關(guān)于負(fù)載電容的計(jì)算方法即從晶體兩端看進(jìn)去電容的總和。
       計(jì)算公式：晶振的負(fù)載電容=[(Cd*Cg)/(Cd+Cg)]+Cic+△C；式中Cd、Cg為分別接在晶振的兩個(gè)腳上和對(duì)地的電容；Cic（集成電路內(nèi)部電容）；△C（PCB上電容）一般為3至5pf。
       1、匹配電容：負(fù)載電容是指晶振要正常震蕩所需要的電容。一般外接電容，是為了使晶振兩端的等效電容等于或接近負(fù)載電容。要求高的場(chǎng)合還要考慮ic輸入端的對(duì)地電容。一般晶振兩端所接電容是所要求的負(fù)載電容的兩倍。這樣并聯(lián)起來(lái)就接近負(fù)載電容了。
       2、負(fù)載電容是指在電路中跨接晶體兩端的總的外界有效電容。它是一個(gè)測(cè)試條件，也是一個(gè)使用條件。應(yīng)用時(shí)一般在給出負(fù)載電容值附近調(diào)整可以得到精確頻率。此電容的大小主要影響負(fù)載諧振頻率和等效負(fù)載諧振電阻。
       3、一般情況下，增大負(fù)載電容會(huì)使振蕩頻率下降，而減小負(fù)載電容會(huì)使振蕩頻率升高。
       4、負(fù)載電容是指晶振的兩條引線(xiàn)連接IC塊內(nèi)部及外部所有有效電容之和，可看作晶振片在電路中串接電容。負(fù)載頻率不同決定振蕩器的振蕩頻率不同。標(biāo)稱(chēng)頻率相同的晶振，負(fù)載電容不一定相同。因?yàn)槭⒕w振蕩器有兩個(gè)諧振頻率，一個(gè)是串聯(lián)揩振晶振的低負(fù)載電容晶振：另一個(gè)為并聯(lián)揩振晶振的高負(fù)載電容晶振。所以，標(biāo)稱(chēng)頻率相同的晶振互換時(shí)還必須要求負(fù)載電容一至，不能冒然互換，否則會(huì)造成電器工作不正常。